对于很多入门的DIY用户来说，购买内存条也许是他们最头疼的事情，除了知道内存的容量和品牌外，对其它参数就一无所知了。既然不懂，有的用户则根本不求了解，只要内存容量符合要求，立马掏钱走人。其实，了解内存条的其它参数，看懂内存芯片上面的编号，对于选购内存条很有好处，被奸商糊弄的可能也会小很多。本文以市场上常见的两种内存条为例，谈谈如何识别内存芯片上的编号。
现代(HYUNDAI)SDRAM内存芯片的识别
一、现代SDRAM 内存芯片编号识别
HY 5X X XXX XX X X X X - XX XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
现代SDRAM的内存芯片上的编号如上所示，其各位编号的意义如下：
1:Memory Products(内存产品的品牌)
HYUNDAI(现代)
2:PRODUCT GROUP(产品种类)
57:SDRAM
5D:DDR SDRAM
3:PROCESS & POWER SUPPLY(工艺和电压)
BLANK:CMOS，5.0V
V:CMOS，3.3V
U:CMOS，2.5V
4:DENSITY & REFRESH(密度和刷新)
16:16M bits， 4K Ref.
64:64M bits， 8K Ref.
65:64M bits， 4K Ref.
128:128M bits， 8K Ref.
129:128M bits， 4K Ref.
256:256M bits， 16K Ref.
257:256M bits， 8K Ref.
5:DATA WIDTH(数据带宽)
40:×4
80:×8
16:×16
32:×32
6:BANK(芯片组成)
1:2 Banks
2:4 Banks
3:8 Banks
7:INTERFACE(界面)
0:LVTTL
1:SSTL(3)
2:SSTL_2
3:Mixed Interface
8:DIE GENERATION(模型版本)
BLANK:1st Generation
A:2nd Generation
B:3rd Generation
C:4th Generation
D:5th Generation
9:POWER CONSUMPTION(功率消耗)
BLANK:Normal Power
L:Low Power
10:PACKAGE(封装)
JC:400mil SOJ
TC:400mil TSOP-Ⅱ
TD:13mm TSOP-Ⅱ
TG:16mm TSOP-Ⅱ
11:SPEED(速度)
7:7ns (143MHz)
8:8ns (125MHz)
10P:PC100 CL2&3
10S:PC100 CL3
10:10ns (100MHz)
12:12ns (83MHz)
15:15ns (66MHz)
二、识别现代SDRAM内存芯片一例
现代SDRAM内存芯片上的编号如
1所示，现分别解释如下。
第一行：HY代表是HYUNDAI内存产品；57代表SDRAM;V代表芯片的加工工艺是3.3V的CMOS(市场上基本所见的SDRAM芯片均是3.3V的，2.5V十分鲜见);65代表64Mbit的芯片密度和4K的芯片刷新；80代表数据宽度是8位；2代表第2的芯片结构，即802，代表通常所说的2×8的芯片结构，市场上最多见的也是这种结构的芯片，其对主板的兼容性也是最好的；0代表LVVTL界面，其实这个参数笔者以为并不十分重要，对内存条的制造商来说才具有实际参考意义；B代表是第3代的SDRAM芯片设计；空白代表普通电压。
第二行：TC代表400mil TSOP-Ⅱ的的芯片封装，市场上目前常见的就是这种封装，其余的几乎没有看见过；10S代表CL3下的100MHz的10ns，市场上最多见的HYUNDAI的PC100芯片，10P的几乎全部是假的，连HYUNDAI的原厂内存几乎也看不到CL2的10P精品。
第三行：9912代表产品的生产日期是1999年的第12个星期；KOREA代表南韩出品，以区别HYUNDAI在非南韩工厂的产品。
高士达(LGS)SDRAM内存芯片的识别
一、高士达SDRAM 内存芯片编号识别
GM 72 X X XX X X X X X XXX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
现代SDRAM的内存芯片上的编号如上所示，其各位编号的意义如下：
1:PREFIX OF LGS(LGS产品的前缀)
MEMORY IC的前缀
2:FAMILY(内存种类)
72:SDRAM
3:PROCESS&POWER SUPPLY(工艺和电压)
V:CMOS(3.3V)
4:DENSITY&REFRESH(内存密度和刷新)
16:16M，4K Ref
17:16M，2K Ref
28:128M，4K Ref
55:256M，16K Ref
56:256M，8K Ref
57:256M，4K Ref
64:64M，16K Ref
65:64M，8K Ref
66:64M，4K Ref
5:DATA WIDTH(数据带宽)
4:×4
8:×8
16:×16
32:×32
6:BANK(芯片组成)
1:1 BANK
2:2 BANK
4:4 BANK
8:8 BANK
7:I/O INTERFACE(I/O界面)
1:LVTTL
8:REVISION NO.(修正版本)
BLANK:ORIGINAL
A:FIRST
B:SECOND
C:THIRD
D:FOURTH
E:FIFTH
F:SIXTH
9:POWER(功率)
Blank:STANDARD
L:LOW-POWER
10:PACKAGE(IC封装)
T:TSOP(NORMAL)
R:TSOP(REVERSE)
I:BLP
K:TSOL
S:STACK
11:SPEED(速度)
6:150MHz
7:143MHz
74:135MHz
75:133MHz
8:125MHz
7K:(PC100，2-2-2)*
7J:(PC100，3-2-2)**
10K:(PC66)***
10J:(PC66)****
12:83MHz
15:66MHz
Note(注释):
*7K means to meet tCK=10ns，C.L=2，tAC=6ns。
**7J means to meet tCK=10ns，C.L=3，tAC=6ns。
***10K means to meet tCK=15ns，C.L=2，tAC=9ns。
****10J means to meet tCK=15ns，C.L=3，tAC=9.5ns。
二、识别LGS SDRAM内存芯片一例
LGS SDRAM内存芯片上的编号如
2所示，现分别解释如下。
第一行：LGS代表南韩LG公司
第二行：GM是LGS的memory IC产品的前缀；72代表SDRAM产品；V代表芯片的加工工艺是3.3V的CMOS;66代表芯片的密度是64Mbit和4K刷新；8代表×8的结构；4代表4bank的芯片组成；1代表LTVVL的I/O界面；C代表是第三代的芯片设计；空白代表标准的芯片功耗；T代表普通的TSOP的IC封装；7J代表在100MHz外频下可运行在10ns，CL值是3。
第三行：9839代表芯片的生产封装日期是1998年第39个星期；KOREA代表是南韩出品，以便同非南韩的LG工厂生产的芯片相区别。