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电脑报 1992-2001 十年文章全集
电脑报 1992-2001 十年文章全集
包含从 1992 年 - 2001 年间,两万余篇期刊文章,查询最少输入两个字符
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标题SDRAM与EDO内存混用时应注意什么
栏目硬件与维修
作者缪秦
发布1997-01-01
  浙江杭州周小丽问:SDRAM内存是什么?是否可以和EDO内存混用?
  答:SDRAM是新一代的动态存储器,又称为同步动态存储器或同步DRAM。它可以与CPU总线使用同一个时钟,而EDO和FPM存储器则是异步的。目前SDRAM存储器的读写周期一般为5-1-1-1。相比之下,EDO内存一般为5-2-2-2。也就是说,SDRAM的读写周期比EDO少3个,大约节省存储器读写时间28%,但实际上由于计算机内其它设备的制约,使用SDRAM的计算机大约可提高性能5~10%。
  虽然有不少主机板支持SDRAM与EDO内存混合安装方式,笔者在前面一期的专家坐堂栏目中已经谈过这个问题。但在笔者与主机板生产厂家的技术人员交谈中,他们主张最好不要混用。原因是多数SDRAM只能在3.3V下工作,而EDO内存则多数在5V下工作。虽然主机板上对DIMM和SIMM分别供电,但它们的数据线总是要连在一起的,如果SIMM(72线内存)与DIMM(168线SDRAM)混用,尽管开始系统可以正常工作,但可能在使用一段时间后,会造成SDRAM的数据输入端被损坏。
  当然,如果你的SDRAM是宽电压(3V~5V)工作的产品,就不会出现这种损坏情况。目前TI和SUMSUNG的某些SDRAM产品支持宽电压工作方式,可以与EDO内存混用。